科学研究

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发布时间：2025-09-09浏览次数：12文章来源：华东师范大学通信与电子工程学院

L. Li, R. Bi, X.M. Li, Z. Dong, C. Yan, S. Wang, P. Ren, M. Li, and X. Wu*, "Direct observation of etching-induced inhomogeneous strain in advanced Si/SiGe stack for GAAFET", Adv. Elec. Mater., (2025).

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