2020-04-16
近日,华东师范大学通信与电子工程学院陈少强教授研究团队报道了一种准确高效的半导体太阳能电池缺陷检测分析技术。该项研究成果发表在光伏领域的顶级权威期刊《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》,并入选该期刊最新一期的正封面文章(DOI: 10.1002/pip.3236),研究生洪建宇为第一作者。充分开发利用太阳能是人类解决能源危机、应对气候变化的有效举措。太阳能电池是利用太阳辐射能进行光伏发电的关键器件。然而,由于光伏材料固有的晶粒结构以及制备过程中所采用的特定工艺,在半导体太阳能电池中普遍存在缺陷。这些缺陷会造成电池空间上的非均匀特性并且降低转换效率,严重威胁着电池的使用寿命与整体性能。为了突破缺陷对提升转换效率所造成的束缚、为太阳能电池的设计制造提供更多参考意见,对缺陷进行深入透彻的研究分析具有十分重要的意义。半导体太阳电池主要的结构就是一个pn结,施加正向偏压后也会发光,也就是电致发光(EL, Electroluminescence)现象。研究团队基于此,开创性地提出了不同于以往利用SEM、TEM等显微技术在物理层